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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713SPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 260 A,
• 制造商零件编号：
  IRL3713SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8951
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713PBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 260 A,
• 制造商零件编号：
  IRL3713PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3293
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3107-7PPBF, 260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 260 A,
• 制造商零件编号：
  IRFS3107-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7064
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903Z, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 260 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2903Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1778
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2903ZPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 260 A,
• 制造商零件编号：
  IRF2903ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5759
  
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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL220N6F7, 260 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 260 A,
• 制造商零件编号：
  STL220N6F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  907-4760
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB3813PBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 260 A,
• 制造商零件编号：
  IRLB3813PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4032
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713STRLPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 260 A,
• 制造商零件编号：
  IRL3713STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5077
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB3813PBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 260 A,
• 制造商零件编号：
  IRLB3813PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9313
  
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