产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0806
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP19N20C, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
FQP19N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5042
搜索
Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8403190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
SK8403190L
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7633
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB24NM65N, 19 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
STB24NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
811-1079
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
IRFI4229PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3975
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4867
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NSPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
IRF9Z34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9484
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7834PBF, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
IRF7834PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4104
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB19N20CTM, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
FQB19N20CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0867
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9540, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
IRF9540PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5152
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Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8603190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
SK8603190L
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7658
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF27P06, 19 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
FQPF27P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5901
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ROHM N沟道 Si MOSFET R5019ANX, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
R5019ANX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7523
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
AUIRF9Z34N
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8621
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA18N50, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
FDA18N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4777
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDP8870, 19 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
FDP8870
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4869
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF19N20C, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
FQPF19N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5247
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6416ANL-1G, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
NTD6416ANL-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2923
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD6416ANLT4G, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
NTD6416ANLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2932
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STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STI24NM65N, 19 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
STI24NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9617
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDS1524URH, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
MDS1524URH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4978
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR462DP-T1-GE3, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
SIR462DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3402
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86240, 19 A, Vds=150 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
FDMC86240
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6317
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
AUIRF9Z34N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1803
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIS330DN-T1-GE3, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 19 A,
制造商零件编号:
SIS330DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1301
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