产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3077PBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRFP3077PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6970
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRFS3306PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7077
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZPBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRF2907ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0278
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL1404SPBF, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRL1404SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5000
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA160N08, 160 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
FQA160N08
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4900
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRFP3306PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6982
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP1405, 160 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
AUIRFP1405
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1819
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3306GPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRFB3306GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3940
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306TRLPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRFS3306TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4098
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB030N08N3G, 160 A, Vds=80 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IPB030N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5209
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB160N04S4-H1, 160 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IPB160N04S4-H1
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7438
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STI300N4F6, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
STI300N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7696
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8870, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
FDD8870
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0950
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3G, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IPB039N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5299
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRFSL3306PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5831
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8743PBF, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRLR8743PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-613
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU8743PBF, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRLU8743PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-760
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRFB3306PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6910
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL1404S, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
AUIRL1404S
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1885
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8743TRPBF, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRLR8743TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3394
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8870_F085, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
FDD8870_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8133
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP1405PBF, 160 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 160 A,
制造商零件编号:
IRFP1405PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4996
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