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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5301TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  IRFH5301TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9280
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8778, 35 A, Vds=25 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  FDD8778
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9112
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCA35N60, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  FCA35N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9440
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8337TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  IRFH8337TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4381
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  STB45N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2949
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  STW45N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2986
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  SI7615ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9248
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  TK35A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5110
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 ATP216-TL-H, 35 A, Vds=50 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  ATP216-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0774
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03MSG, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  BSZ130N03MSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5101
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  IPB35N10S3L-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8671
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA126N10N3 G, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  IPA126N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2242
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK35A08N1,S4X(S, 35 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  TK35A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2350
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4510GPBF, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  IRFI4510GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5084
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TPCA8015-H(TE12L,Q), 35 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  TPCA8015-H(TE12L,Q)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-291
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP30NF10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  STP30NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7585
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF70N10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  FQPF70N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5307
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF10T4, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  STB30NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5194
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPS105N03L G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  IPS105N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5503
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD35NF06T4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  STD35NF06T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9893
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW43NM60N, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  STW43NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2931
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  IPD35N10S3L-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9128
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6208
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86200, 35 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  FDMS86200
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4752
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH110N65F_F155, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 35 A,
• 制造商零件编号：
  FCH110N65F_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1283
  
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