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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NSPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z24NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4255
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9328PBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9328PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9240
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IPB60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8356
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IPP60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3049
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IPB50R299CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5158
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IPI60R250CPAKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6700
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9388TRPBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9388TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4985
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI530NPBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRFI530NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9620
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6646TR1PBF, 12 A, Vds=80 V, 5引脚 DirectFET MN封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF6646TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6712
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4858
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6710S2TR1PBF, 12 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET S1封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF6710S2TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6734
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7855TRPBF, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7855TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3893
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IPW50R299CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7101
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NSTRLPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z24NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4991
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7855PBF, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7855PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6881
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9328TRPBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9328TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3925
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0799
  
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