产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
分立半导体
(47)
MOSFET 晶体管
(47)
筛选品牌
DiodesZetex (5)
Fairchild Semiconductor (9)
Infineon (6)
ON Semiconductor (2)
STMicroelectronics (13)
Taiwan Semiconductor (1)
Vishay (11)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
IRF7607TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-776
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
IRLL3303PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9890
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
STP8NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5285
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4755
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SUD06N10-225L-GE3, 6.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
SUD06N10-225L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5008
搜索
ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET NTMD6N02R2G, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
NTMD6N02R2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-4525
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC8886, 6.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
FDC8886
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8029
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
STF8NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6667
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9630PBF, 6.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
IRF9630PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-2515
搜索
DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMG6968UDM-7, 6.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-26封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
DMG6968UDM-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4115
查看其他仓库
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2066LSS-13, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
DMP2066LSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4231
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM80-1, 6.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
STD7NM80-1
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2717
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF9NM60N, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
STF9NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2868
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9027
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET EMH1307-TL-H, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
EMH1307-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0888
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF7N60NZ, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
FDPF7N60NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3633
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6630A, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
FDS6630A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3652
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7313TRPBF, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
IRF7313TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8869
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STL13N65M2, 6.5 A, Vds=650 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
STL13N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5679
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STL12N60M2, 6.5 A, Vds=600 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
STL12N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2849
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4195
查看其他仓库
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5655
搜索
DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2038USS-13, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
DMP2038USS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1133
查看其他仓库
Taiwan Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET TSM6968DCA RVG, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
TSM6968DCA RVG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
398-449
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7313PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 6.5 A,
制造商零件编号:
IRF7313PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0250
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号