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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301PBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7301PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0698
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  STP7NK80ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-1085
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB7NK80ZT4, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  STB7NK80ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9516
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI6968BEDQ-T1-GE3, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI6968BEDQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1374
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRFL4105TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3994
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4788
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP603S2L, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  BSP603S2L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-2935
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRFL4105PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9878
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF620PBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRF620PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0052
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL620SPBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRL620SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  609-4203
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV22EN, 5.2 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  PMV22EN
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2794
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301TRPBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7301TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8847
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN45EN,135, 5.2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  PMN45EN,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8420
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTLUS3A39PZTAG, 5.2 A, Vds=20 V, 6引脚 UDFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  NTLUS3A39PZTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1061
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3304
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9907
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80Z, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  STP7NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5346
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP4050SSD-13, 5.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  DMP4050SSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4278
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF620S-GE3, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  SIHF620S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2629
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP1045U-7, 5.2 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  DMP1045U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2605
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF7P20, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  FQPF7P20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8776
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80Z, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 5.2 A,
• 制造商零件编号：
  STP7NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6626
  
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