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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210LPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRF5210LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3707
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRF5210STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2825
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R099C6, 38 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IPB60R099C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4479
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP4409, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP4409
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5069
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2244
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518TRPBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4048
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4137PBF, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRFB4137PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4739
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4137PBF, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRFB4137PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8913
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R099C6, 38 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IPA60R099C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8239
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210SPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRF5210SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4719
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210SPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRF5210SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-271
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS38N20DPBF, 38 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRFS38N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8917
  
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• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6717MTR1PBF, 38 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRF6717MTR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6756
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4137PBF, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRFP4137PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8944
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 38 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3887
  
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