产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IPP023N10N5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7116
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP100NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
STP100NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2161
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB100NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
STB100NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5093
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF03, 120 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
STP200NF03
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5289
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IRF4104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5545
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8318TR2PBF, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IRFH8318TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4378
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STI260N6F6, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
STI260N6F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9626
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP210N75F6, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
STP210N75F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9676
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
STP200NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0064
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R8-100BS, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
PSMN3R8-100BS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2956
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
SQM120N06-3m5L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3945
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3G, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IPB027N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9235
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IPB120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9092
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N04S4-02, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IPI120N04S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4657
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-03, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IPP120N06S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6877
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7446TRPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IRFR7446TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4195
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STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si N沟道 MOSFET STH175N4F6-2AG, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
STH175N4F6-2AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5660
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N12N3 G, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IPP041N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7311
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023NE7N3 G, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IPP023NE7N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4460
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB200NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
STB200NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
134-576
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH120N20P, 120 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IXFH120N20P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-458
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH120N15P, 120 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IXFH120N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-237
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF4104SPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IRF4104SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8894
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP140NF75, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
STP140NF75
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5302
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 120 A,
制造商零件编号:
IRF4104PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
688-6863
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