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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9957
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI3205PBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IRFI3205PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9608
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8462, 64 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC8462
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9134
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IXFX64N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1506
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK64N60P3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IXFK64N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4408
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8651, 64 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC8651
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4954
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IPB200N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6870
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3103SPBF, 64 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IRL3103SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0383
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IXFK64N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1427
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG64N65E-GE3, 64 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  SiHG64N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4493
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4797
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP048NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IRFP048NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4864
  
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• Microchip MCP87 系列 Si N沟道 MOSFET MCP87090T-U/MF, 64 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  MCP87090T-U/MF
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  775-7407
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-25YLC, 64 A, Vds=25 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  PSMN6R5-25YLC
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3000
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK64N50Q3, 64 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IXFK64N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1424
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N50Q3, 64 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IXFX64N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1503
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP048NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IRFP048NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0834
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IPP200N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5500
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDMC8651, 64 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC8651
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9138
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NSPBF, 64 A, Vds=55 V, 4引脚 SMD-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0307
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60P3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  IXFX64N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4499
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86202, 64 A, Vds=120 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 64 A,
• 制造商零件编号：
  FDMS86202
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8464
  
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