产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
分立半导体
(41)
IGBT 晶体管模块
(16)
IGBT 晶体管
(25)
筛选品牌
Infineon (41)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon FS100R07N2E4_B11 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=650 V, 25引脚 ECONO2封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS100R07N2E4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6832
查看其他仓库
Infineon FD300R07PE4_B6 N通道 IGBT 模块, 共发射极, 300 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FD300R07PE4_B6
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6841
搜索
Infineon F3L200R07PE4 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
F3L200R07PE4
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6848
查看其他仓库
Infineon IHW40N65R5 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IHW40N65R5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7143
搜索
Infineon IGW50N65H5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IGW50N65H5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7157
查看其他仓库
Infineon IKW75N65EL5 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKW75N65EL5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7176
查看其他仓库
Infineon IKP15N65F5 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKP15N65F5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7724
搜索
Infineon IKW40N65H5 N沟道 IGBT, 74 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKW40N65H5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7779
搜索
Infineon IRGP4266PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IRGP4266PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1111
查看其他仓库
Infineon IKP08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 18 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKP08N65H5XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8582
搜索
Infineon IRGP4750DPBF N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IRGP4750DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3432
搜索
Infineon FS150R07PE4 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 150 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS150R07PE4
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6810
查看其他仓库
Infineon FS200R07A1E3 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 250 A, Vce=650 V, 25引脚 HYBRID1封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS200R07A1E3
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6857
查看其他仓库
Infineon FS100R07N3E4_B11 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=650 V, 35引脚 ECONO3封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS100R07N3E4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6927
查看其他仓库
Infineon FP50R07N2E4 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 70 A, Vce=650 V, 31引脚 ECONO2封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FP50R07N2E4
品牌:
Infineon
库存编号:
838-7021
查看其他仓库
Infineon IGW50N65F5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IGW50N65F5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7426
查看其他仓库
Infineon IRGP4263-EPBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IRGP4263-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9035
搜索
Infineon IKA08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 10.8 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKA08N65H5XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8573
搜索
Infineon IKA15N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 14 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKA15N65H5XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8576
查看其他仓库
Infineon IRGP4760PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IRGP4760PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3441
查看其他仓库
Infineon IRGP4790PBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IRGP4790PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3448
查看其他仓库
Infineon IRGP4262DPBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IRGP4262DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4924
查看其他仓库
Infineon FP75R07N2E4_B11 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=650 V, 31引脚 ECONO2封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FP75R07N2E4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6816
查看其他仓库
Infineon FS100R07N2E4 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=650 V, 28引脚 ECONO2封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS100R07N2E4
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6822
查看其他仓库
Infineon FS50R07N2E4 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 70 A, Vce=650 V, 28引脚 ECONO2封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS50R07N2E4
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6970
查看其他仓库
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号