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• Fairchild Semiconductor FGA15N120ANTDTU_F109 N沟道 IGBT, 24 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGA15N120ANTDTU_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5398
  
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• Fairchild Semiconductor FGL40N120ANDTU N沟道 IGBT, 64 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGL40N120ANDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5408
  
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• Fairchild Semiconductor FGH15T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGH15T120SMD_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8833
  
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• Fairchild Semiconductor FGH25T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGH25T120SMD_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8846
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGH40T120SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8855
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40N120ANTU N沟道 IGBT, 64 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGH40N120ANTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4933
  
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• Fairchild Semiconductor FGH25N120FTDS N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGH25N120FTDS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8837
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGH40T120SMD_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8859
  
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• Fairchild Semiconductor HGTG18N120BND N沟道 IGBT, 54 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  HGTG18N120BND
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4285
  
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• Fairchild Semiconductor FGA20N120FTDTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGA20N120FTDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5391
  
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• Fairchild Semiconductor FGL35N120FTDTU N沟道 IGBT, 70 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGL35N120FTDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0782
  
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• Fairchild Semiconductor FGA30N120FTDTU N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGA30N120FTDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8776
  
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• Fairchild Semiconductor FGA25N120ANTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGA25N120ANTDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9222
  
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• Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNST N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  HGT1S10N120BNST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-6660
  
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