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• Fairchild Semiconductor FGA60N65SMD N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 600 W,
• 制造商零件编号：
  FGA60N65SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8795
  
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• Fairchild Semiconductor FGH60N60SMD_F085 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 600 W,
• 制造商零件编号：
  FGH60N60SMD_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8877
  
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• IXYS IXYN82N120C3 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 600 W,
• 制造商零件编号：
  IXYN82N120C3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7628
  
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• IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1F230N20T, 168 A, Vds=200 V, 24引脚 SMPD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 600 W,
• 制造商零件编号：
  MMIX1F230N20T
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2490
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH88N30P, 88 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 600 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH88N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0732
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH88N30P, 88 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 600 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH88N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-559
  
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• ON Semiconductor BZG03C150G 单路 齐纳二极管, 150V 600 W, 2引脚 SMA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 600 W,
• 制造商零件编号：
  BZG03C150G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  807-9947
  
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• Infineon FS100R17PE4 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1700 V, 20引脚 ECONO4封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 600 W,
• 制造商零件编号：
  FS100R17PE4
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6911
  
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• Fairchild Semiconductor FGH60N60SMD N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 600 W,
• 制造商零件编号：
  FGH60N60SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4945
  
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