以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• MagnaChip MPMB75B120RH N通道 IGBT 模块, 串行, 75 A, Vce=1200 V, 7引脚 7DM-1封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  MPMB75B120RH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  784-6291
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS IXYN80N90C3H1 N沟道 IGBT, 340 A, Vce=900 V, 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXYN80N90C3H1
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  791-7422
  
• 
  搜索

• Infineon F4-75R12KS4_B11 N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 24引脚 ECONO2封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  F4-75R12KS4_B11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6885
  
• 
  查看其他仓库

• Fuji Electric FGW75N60HD N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  FGW75N60HD
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  772-9026
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS IXYP30N120C3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXYP30N120C3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0247
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS IXYH30N120C3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXYH30N120C3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0278
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N50Q3, 45 A, Vds=500 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFR64N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1452
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ22N60P3, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFQ22N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4449
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK27N80Q, 27 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFK27N80Q
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0874
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK48N50, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFK48N50
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5367
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFP26N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4436
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0981
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR48N60Q3, 32 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFR48N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1443
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4360
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH22N60P3, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH22N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4366
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL86210_F085, 169 A, Vds=150 V, 8引脚 PSOF封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  FDBL86210_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8007
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK48N50, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFK48N50
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0870
  
• 
  搜索

• Fuji Electric 7MBP75RA-120-55 N通道 IGBT 模块, 3 相, 75 A, Vce=1200 V, 22引脚 P 610封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  7MBP75RA-120-55
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  716-5612
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon BSM50GB170DN2 N通道 IGBT 模块, 串行, 72 A, Vce=1700 V, 7引脚 34MM 模块封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  BSM50GB170DN2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8198
  
• 
  搜索

• IXYS IXYN82N120C3H1 N沟道 IGBT, 105 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXYN82N120C3H1
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7622
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor FGH30S130P N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  FGH30S130P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8849
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH69N30P, 69 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH69N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-543
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R037C6, 83 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IPW65R037C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7474
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK27N80Q, 27 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFK27N80Q
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5382
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK48N50Q, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 500 W,
• 制造商零件编号：
  IXFK48N50Q
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5398
  
• 
  查看其他仓库