以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• ON Semiconductor MJE13007G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=400 V, HFE:5, 1 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  MJE13007G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5142
  
• 
  搜索

• NXP PHE13009 , NPN 晶体管, 12 A, Vce=700 V, HFE:6, 60 Hz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  PHE13009
  品牌：
  WeEn Semiconductors Co., Ltd
  库存编号：
  801-5662
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics BUL38D , NPN 晶体管, 5 A, Vce=800 V, HFE:22, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  BUL38D
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  810-7376
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics BUL138 , NPN 晶体管, 5 A, Vce=400 V, HFE:8, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  BUL138
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-6914
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor MJE13007G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=400 V, HFE:5, 1 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  MJE13007G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3568
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor FJB3307DTM , NPN 晶体管, 8 A, Vce=400 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  FJB3307DTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9244
  
• 
  搜索

• NXP BUJ302AD , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:25, 3引脚 SOT-428封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  BUJ302AD
  品牌：
  WeEn Semiconductors Co., Ltd
  库存编号：
  813-6719
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor BDW94CFTU PNP 达林顿晶体管对, -12 A, Vce=-100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  BDW94CFTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5178
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor BDW93CTU NPN 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  BDW93CTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5175
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor TIP105TU PNP 达林顿晶体管对, -8 A, Vce=-60 V, HFE=200, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  TIP105TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-0483
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor TIP102TU NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  TIP102TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-0489
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor TIP107TU PNP 达林顿晶体管对, -8 A, Vce=-100 V, HFE=200, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  TIP107TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-0492
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP45NF06, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  STP45NF06
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7658
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFZ44ZS, 51 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ44ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7495
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLZ44Z, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLZ44Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1910
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLZ44ZL, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLZ44ZL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1914
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL140N4LLF5, 140 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  STL140N4LLF5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0540
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8896_F085, 94 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  FDD8896_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8136
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44ZLPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44ZLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5857
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44ZSTRRPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44ZSTRRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5064
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTA4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  IXTA4N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1489
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  SPD18P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8491
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD35NF06T4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  STD35NF06T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9893
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8896, 93 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  FDB8896
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0824
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD35NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 80 W,
• 制造商零件编号：
  STD35NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6604
  
• 
  查看其他仓库