产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
分立半导体
(14)
MOSFET 晶体管
(14)
筛选品牌
Vishay (14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SIR466DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3406
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SI4925DDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9052
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SQ3426EEV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9456
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4436DY-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SI4436DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3224
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4410EY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SQ4410EY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3911
搜索
Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4712DY-T1-GE3, 14.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SI4712DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4328
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SI4666DY-T1-GE3, 16.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SI4666DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3249
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SI4925DDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4202
查看其他仓库
Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ3419EV-T1_GE3, 7.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SQ3419EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9452
搜索
Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4712DY-T1-GE3, 14.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SI4712DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1289
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI9407BDY-T1-GE3, 3.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SI9407BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1444
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ3418EEV-T1-GE3, 8 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SQ3418EEV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9459
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4004DY-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SI4004DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3182
查看其他仓库
Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 5 W,
制造商零件编号:
SI4925DDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5895
查看其他仓库
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号