产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor FGPF15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
FGPF15N60UNDF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0785
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD5614P, 15 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
FDD5614P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0352
搜索
Semelab Si N沟道 MOSFET D2012UK, 4 A, Vds=65 V, 3引脚 DP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
D2012UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7705
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN6040SK3-13, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
DMN6040SK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4609
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL8N80K5, 4.5 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
STL8N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7706
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL7N80K5, 3.6 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
STL7N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5915
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR320TRPBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IRFR320TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0626
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220TRPBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IRFR220TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0629
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9020TRPBF, 9.9 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IRFR9020TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0641
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR020TRPBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IRFR020TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2764
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD40N03S4L-08, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IPD40N03S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4596
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDD2N60RH, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
MDD2N60RH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-6637
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
SPB08P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2201
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4510GPBF, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IRFI4510GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5084
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
SPD08P06P
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3247
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ34GPBF, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IRFIZ34GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4796
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Semelab Si N沟道 MOSFET D2212UK, 8 A, Vds=40 V, 3引脚 DP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
D2212UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7758
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU420PBF, 2.4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-251AA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IRFU420PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9002
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDD4243, 6.7 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
FDD4243
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0884
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9120TRPBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IRFR9120TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0648
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFRC20TRPBF, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
IRFRC20TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0663
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Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
SIHLR120TR-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0720
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Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLR024TR-GE3, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
SIHLR024TR-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0727
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD09P06PLG, 9.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 42 W,
制造商零件编号:
SPD09P06PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9074
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