产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R310CFD, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
IPA65R310CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8627
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
IPA65R280E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7194
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
SPA07N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8460
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
SPA08N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8463
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC090N03LS G, 48 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
BSC090N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5282
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC340N08NS3 G, 23 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
BSC340N08NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5320
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ340N08NS3 G, 23 A, Vds=80 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
BSZ340N08NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7352
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R280C6, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
IPA60R280C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7517
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC090N03MS G, 48 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
BSC090N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2940
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