产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP BUJ303AX , NPN 晶体管, 5 A, Vce=500 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
BUJ303AX
品牌:
NXP
库存编号:
813-6712
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Fairchild Semiconductor FNB41060 N通道 智能功率模块, 3 相, 5 A, Vce=600 V, 26引脚 SPM26 AAA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
FNB41060
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
800-7419
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R310CFD, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
IPA65R310CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8627
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
IPA65R280E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7194
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
SPA07N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8460
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Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH14006NH, 34 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
TPH14006NH
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5137
搜索
IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP8N65X2M, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
IXTP8N65X2M
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1491
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STMicroelectronics STGF19NC60HD N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
STGF19NC60HD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-7206
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
SPA08N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8463
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC090N03LS G, 48 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
BSC090N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5282
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC340N08NS3 G, 23 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
BSC340N08NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5320
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDFP03N150CG, 5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
NDFP03N150CG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-6785
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ340N08NS3 G, 23 A, Vds=80 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
BSZ340N08NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7352
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R280C6, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
IPA60R280C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7517
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC090N03MS G, 48 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 32 W,
制造商零件编号:
BSC090N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2940
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