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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH44N50P, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH44N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-552
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFBA90N20DPBF, 98 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-273AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  IRFBA90N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3950
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH24N80P, 24 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH24N80P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-079
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH36N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-467
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH36N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0763
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH44N50P, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH44N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0785
  
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• Fuji Electric 2MBI100VA-060-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 100 A, Vce=600 V, 7引脚 M263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  2MBI100VA-060-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  110-9124
  
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• Fuji Electric 2MBi150VA-060-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 150 A, Vce=600 V, 7引脚 M263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  2MBi150VA-060-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  771-6282
  
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• Fuji Electric 2MBi200VA-060-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=600 V, 7引脚 M263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  2MBi200VA-060-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  771-6291
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH24N80P, 24 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 650 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH24N80P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0754
  
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