产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 37 W,
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 37 W,
制造商零件编号:
SQD23N06-31L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9487
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI520GPBF, 7.2 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 37 W,
制造商零件编号:
IRFI520GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2711
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 37 W,
制造商零件编号:
SIHF30N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9322
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD15N06-42L_GE3, 15 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 37 W,
制造商零件编号:
SQD15N06-42L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9478
搜索
Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 37 W,
制造商零件编号:
SiHF30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4490
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9Z24GPBF, 6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 37 W,
制造商零件编号:
IRFI9Z24GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2727
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