以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor FGH40N60SMDF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGH40N60SMDF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4942
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor FGH40N60SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGH40N60SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9279
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor FGH40N60SMD_F085 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGH40N60SMD_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8852
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor FGA40N65SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGA40N65SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8782
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor FGB40N60SM N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGB40N60SM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8811
  
• 
  搜索

• Infineon IHW30N135R3 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1350 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  IHW30N135R3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7449
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon IKW25N120T2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  IKW25N120T2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7403
  
• 
  搜索