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• Infineon IRGP4063D1-EPBF N沟道 IGBT, 100 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4063D1-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9013
  
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• Infineon IRGP4063-EPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4063-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9026
  
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• Infineon AUIRGP4063D-E N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRGP4063D-E
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9348
  
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• Infineon IRGP6660DPBF N沟道 IGBT, 95 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6660DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4259
  
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• Infineon IRGP6660DPBF N沟道 IGBT, 95 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6660DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3466
  
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• Infineon IRGP4068DPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4068DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7596
  
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• Infineon IRGP4068D-EPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4068D-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9032
  
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• Infineon AUIRGP4063D N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRGP4063D
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9344
  
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• Infineon IRGP4063PBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4063PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7593
  
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• Infineon IRGP4068D-EPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4068D-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4742
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4229PBF, 45 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-883
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405PBF, 169 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1405PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1099
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4228PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4228PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6948
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804PBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2804PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5558
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW69N65M5, 58 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  STW69N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3021
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713PBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRL3713PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3293
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805PBF, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2805PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8687
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3932
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3972
  
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• Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET C2M0040120D, 60 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  C2M0040120D
  品牌：
  Wolfspeed
  库存编号：
  923-0711
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4384
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4772
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804LPBF, 75 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2804LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8787
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3808
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1796
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP160N75F3, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 330 W,
• 制造商零件编号：
  STP160N75F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0027
  
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