产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP038AN06A0, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
FDP038AN06A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4774
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047AN08A0, 15 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
FDP047AN08A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4783
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
FDP3632
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4828
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB200NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
STB200NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
134-576
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
FDB3632
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0334
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP140NF75, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
STP140NF75
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5302
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4321PBF, 78 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
IRFP4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7005
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STB140NF75T4, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
STB140NF75T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5096
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP2532, 8 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
FDP2532
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4803
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP2907ZPBF, 170 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 310000 mW,
制造商零件编号:
IRFP2907ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6976
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