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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16401Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16401Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4741
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17553Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD17553Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4861
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18504Q5A, 75 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD18504Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4883
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18531Q5A, 134 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD18531Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4886
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17556Q5B, 215 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD17556Q5B
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4864
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18503Q5A, 145 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD18503Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4874
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18504Q5A, 75 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD18504Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  921-3066
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16321Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16321Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4684
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16413Q5A, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16413Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4798
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18534Q5A, 69 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD18534Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4896
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17576Q5BT, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCON-CLIP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD17576Q5BT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3830
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16322Q5C, 21 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16322Q5C
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4694
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16322Q5, 97 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16322Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4697
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16407Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Texas Instruments,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16407Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4763
  
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