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• Fuji Electric 7MBP50RA-120-55 N通道 IGBT 模块, 3 相, 50 A, Vce=1200 V, 22引脚 P 610封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  7MBP50RA-120-55
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  716-5618
  
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• Fuji Electric 6MBP50RA-120-55 N通道 IGBT 模块, 3 相, 50 A, Vce=1200 V, 22引脚 P 610封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  6MBP50RA-120-55
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  462-900
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP104N60F, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  FCP104N60F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7893
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL9403_F085, 240 A, Vds=40 V, 8引脚 PSOF封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  FDBL9403_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8001
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG47N60E-GE3, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  SiHG47N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9332
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH104N60, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  FCH104N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1271
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH110N65F_F155, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  FCH110N65F_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1283
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB52N20TM, 52 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  FDB52N20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8983
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP104N60, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  FCP104N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7884
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP110N65F, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  FCP110N65F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7896
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH104N60F, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 357 W,
• 制造商零件编号：
  FCH104N60F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1280
  
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