产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SIHP24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9344
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SiHP30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9348
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SiHG30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9421
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHG20N50C-E3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SIHG20N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1266
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFB13N50APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IRFB13N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9856
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHB24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SiHB24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9316
搜索
Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHB28N60EF-GE3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SiHB28N60EF-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4504
搜索
Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHP28N60EF-GE3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SiHP28N60EF-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4507
搜索
Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SIHG30N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9338
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SIGH20N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
785-8641
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SUM90N03-2M2P-E3, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SUM90N03-2M2P-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7492
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SIHB30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9310
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SiHG24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9335
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Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG28N60EF-GE3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SiHG28N60EF-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4497
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