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• ON Semiconductor NGTB20N120IHWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB20N120IHWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  882-9815
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP4409, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP4409
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5069
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLP3034PBF, 327 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  IRLP3034PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4067
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP7530PBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP7530PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8855
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCB20N60_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  FCB20N60_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1249
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7472L1TRPbF, 564 A, Vds=40 V, 7引脚 DirectFET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  IRL7472L1TRPbF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  896-7336
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4137PBF, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4137PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4739
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4137PBF, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4137PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8913
  
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• International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFB7545PBF, 95 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB7545PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  807-1546
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4137PBF, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 341 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP4137PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8944
  
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