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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9610GPBF, 2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI9610GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2193
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8337TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH8337TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4381
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRLIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  IRLIZ14GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0702
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ14GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2724
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NVMFD5852NLT1G, 44 A, Vds=40 V, 8引脚 DFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  NVMFD5852NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4166
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STU1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  STU1HN60K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7949
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  STD1HN60K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9289
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7692, 47 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS7692
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4810
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF3N50NZ, 1.8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  FDPF3N50NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4876
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STU3N45K3, 1.8 A, Vds=450 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  STU3N45K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0601
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF5N50BTH, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  MDF5N50BTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-6665
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R750E6, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  IPA60R750E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2315
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI510GPBF, 4.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI510GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2702
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9Z14GPBF, 3.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 27 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI9Z14GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2718
  
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