以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3317
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFR024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4819
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4162DY-T1-GE3, 13.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  SI4162DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3323
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFU9024PBF, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFU9024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4853
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET Si4134DY-T1-GE3, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  Si4134DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3320
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4435DDY-T1-GE3, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  SI4435DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3339
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU214PBF, 2.2 A, Vds=250 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFU214PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4838
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFUC20PBF, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFUC20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4850
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRLU024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLU024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4881
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRLU110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 2500 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLU110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4884
  
• 
  查看其他仓库