产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Magnatec MJE340 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 SOT-32封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
MJE340
品牌:
Magnatec
库存编号:
294-227
搜索
DiodesZetex DXT458P5-13 , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=400 V, HFE:300, 50 MHz, 3引脚 PowerDI 5封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
DXT458P5-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1296
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DiodesZetex FCX605TA NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=120 V, HFE=5000, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
FCX605TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1350
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024ZPBF, 5 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRLL024ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4463
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI5855CDC-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
SI5855CDC-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1346
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH3702TR2PBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRFH3702TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
725-9256
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL22N65M5, 15 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
STL22N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3046
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STL57N65M5, 22 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
STL57N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3056
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
STL36N55M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3113
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI1442DH-T1-GE3, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
SI1442DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9134
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Vishay Si N沟道 MOSFET Si1416EDH-T1-GE3, 3.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
Si1416EDH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3063
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI1480DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
SI1480DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3085
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL024ZTRPBF, 5.1 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRFL024ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3990
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Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 CSD25401Q3, 60 A, Vds=20 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
CSD25401Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4921
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRFH3702TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4995
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3016LK3-13, 38 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
DMN3016LK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1085
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6725MTR1PBF, 28 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRF6725MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6778
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6727MTR1PBF, 32 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRF6727MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6780
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6797MTR1PBF, 36 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRF6797MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6790
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL45N65M5, 22 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
STL45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3122
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL38N65M5, 22 A, Vds=650 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
STL38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3125
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI1441EDH-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
SI1441EDH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3079
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI4823DY-T1-GE3, 3.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
SI4823DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1283
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Vishay 双 P沟道 Si MOSFET SI5933CDC-T1-GE3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
SI5933CDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1359
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