产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS IXA60IF1200NA N沟道 IGBT, 88 A, Vce=1200 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
IXA60IF1200NA
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7612
搜索
Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
FGH40N65UFDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9282
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor FGH80N60FDTU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
FGH80N60FDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9305
搜索
Fairchild Semiconductor FGH40N60SFDTU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
FGH40N60SFDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9267
搜索
Fairchild Semiconductor FGH40N60SFTU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
FGH40N60SFTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9276
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IXYS IXA55I1200HJ N沟道 IGBT, 84 A, Vce=1200 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
IXA55I1200HJ
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0219
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903Z, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
AUIRF2903Z
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1778
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7534TRL7PP, 240 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
IRFS7534TRL7PP
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8861
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2903ZPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
IRF2903ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5759
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7734PBF, 183 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
IRFB7734PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3319
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Semelab 双 N沟道 MOSFET 晶体管 D1012UK, 15 A, Vds=70 V, 5引脚 DH封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
D1012UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7679
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International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP7537PBF, 172 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
IRFP7537PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
807-1552
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7534-7PPBF, 255 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
IRFS7534-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5094
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Fairchild Semiconductor FGH40N60UFDTU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
FGH40N60UFDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9273
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Fairchild Semiconductor FGH80N60FD2TU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
FGH80N60FD2TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9295
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Fairchild Semiconductor FGH40N60UFTU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
FGH40N60UFTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9752
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734PBF, 183 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 290 W,
制造商零件编号:
IRFS7734PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3362
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