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• STMicroelectronics STGP30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 258 W,
• 制造商零件编号：
  STGP30M65DF2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2805
  
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• STMicroelectronics STGWA30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 258 W,
• 制造商零件编号：
  STGWA30M65DF2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2824
  
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• STMicroelectronics STGWT30V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 258 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT30V60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7661
  
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• STMicroelectronics STGW30V60DF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 258 W,
• 制造商零件编号：
  STGW30V60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7630
  
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• STMicroelectronics STGP30V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 258 W,
• 制造商零件编号：
  STGP30V60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9368
  
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• STMicroelectronics STGB30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 258 W,
• 制造商零件编号：
  STGB30M65DF2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2785
  
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