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• Fairchild Semiconductor FSBF5CH60B N通道 IGBT 模块, 5 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 JA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  FSBF5CH60B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-5093
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8403190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SK8403190L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7633
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SIA447DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9288
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIA449DJ-T1-GE3, 10.4 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SIA449DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1213
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA429DJT-T1-GE3, 8.5 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SIA429DJT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1450
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SIA436DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4249
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8603190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SK8603190L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7658
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIA462DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SIA462DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1222
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8603180L, 39 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SK8603180L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7655
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SIA436DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9276
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIA416DJ-T1-GE3, 11.3 A, Vds=100 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SIA416DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1441
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIA445EDJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  SIA445EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9285
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86116LZ, 7.5 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 19 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC86116LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3501
  
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