产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fuji Electric 7MBR30SA-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相, 30 A, Vce=600 V, 24引脚 M711封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
7MBR30SA-060-50
品牌:
Fuji
库存编号:
716-5628
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Toshiba GT40J322(Q) N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 0.2μs, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
GT40J322(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
756-0546
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FJP2145TU NPN 发射器开关, 5 A 0.202V, 3针 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
FJP2145TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8956
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRFP044NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1562
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB25P06T4G, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
NTB25P06T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0510
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2908, 30 A,39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
AUIRLR2908
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9221
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR2908TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3354
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLU3915PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5072
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRFP044NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4909
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STD100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
STD100N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2005
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908PBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR2908PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0329
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP9P25, 5.9 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
FQP9P25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5888
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF27P06, 19 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
FQPF27P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5901
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRLPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR2908TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3350
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908PBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR2908PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4714
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3711PBF, 110 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRF3711PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2351
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRLR3915, 30 A,61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
AUIRLR3915
品牌:
International Rectifier
库存编号:
784-9234
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STD100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
STD100N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3592
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD80N6F6, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
STD80N6F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5735
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR3915PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1550
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75631S3ST, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
HUF75631S3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6698
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