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• IXYS IXGP20N120B3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 20kHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXGP20N120B3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  791-7425
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXTH12N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1457
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXTP12N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1505
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTA12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXTA12N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1508
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP8N50P3, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：IXYS,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXFP8N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4442
  
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