产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S405ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPB80N06S405ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8995
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB17N25S3-100, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPB17N25S3-100
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9002
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI147N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPI147N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2289
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IRLU3103PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5062
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1205PBF, 44 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IRFR1205PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0115
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ46NL, 39 A,53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
AUIRFZ46NL
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9203
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3103TRPBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IRLR3103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3363
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IRFZ46NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4848
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IRFZ46NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0711
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N06S4L05ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPB80N06S4L05ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8998
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1205TRPBF, 44 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IRFR1205TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4026
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S4-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPP80N06S4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6990
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP040N06N, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPP040N06N
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2144
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IRLR3103PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0579
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S4L-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPP80N06S4L-05
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9339
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPI80N06S4L-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPI80N06S4L-05
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9342
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S405, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPI80N06S405
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6785
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB144N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IPB144N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7201
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NSTRLPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 107 W,
制造商零件编号:
IRFZ46NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5167
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