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• Infineon FP20R06W1E3_B11 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 29 A, Vce=600 V, 22引脚 EASY1B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  FP20R06W1E3_B11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6955
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-03, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPD90N03S4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7479
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPD031N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5446
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04L G, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPD036N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9364
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80N04S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4509
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6971
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS031N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPS031N03LGAKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7044
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS36101L_F085, 38 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS36101L_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8350
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4769
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3103SPBF, 64 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IRL3103SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0383
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60N, 10.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  FCP11N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6140
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8403TR, 123 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFN8403TR
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4149
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N04N G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPP041N04N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2321
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP034N03LG, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPP034N03LGXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0198
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9777
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44NS, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ44NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1888
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3315S, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3315S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9124
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB123N10N3G, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPB123N10N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9036
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04LG, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPD036N04LG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5069
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80N03S4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2191
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP126N10N3 G, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPP126N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2273
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04L G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IPP039N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2330
  
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• Infineon FB20R06W1E3 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 29 A, Vce=600 V, 23引脚 EASY1B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  FB20R06W1E3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6951
  
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• Infineon FP06R12W1T4_B3 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 12 A, Vce=1200 V, 21引脚 EASY1B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  FP06R12W1T4_B3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6964
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315PBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 94 W,
• 制造商零件编号：
  IRF3315PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9226
  
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