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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3709ZPBF, 87 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IRF3709ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6847
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3410, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3410
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7420
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LG, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPB042N03LG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9462
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N06S4L-07, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S4L-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4530
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03LGBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4562
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP80N06S4L-07, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S4L-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7006
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPS040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2138
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3709ZPBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR3709ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3941
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8445, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  FDD8445
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0365
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N04S3-07, 82 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPD70N04S3-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3024
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5459
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW60N65M5, 46 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  STFW60N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0506
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STFW69N65M5, 58 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  STFW69N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3018
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8401, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR8401
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-0988
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N06S4L07ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S4L07ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9459
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP084N06L3GHKSA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPP084N06L3GHKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6858
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8445_F085, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  FDD8445_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8118
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9530NPBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9530NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4860
  
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• STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD57060-E, 7 A, Vds=65 V, 2引脚 PowerSO-10RF封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  PD57060-E
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  110-6593
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3910PBF, 16 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR3910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0137
  
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• Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL530NPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IRL530NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1203
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLU9343PBF, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IRLU9343PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4643
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4805NT4G, 95 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  NTD4805NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-1980
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB081N06L3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  IPB081N06L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9525
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18537NKCS, 54 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 79 W,
• 制造商零件编号：
  CSD18537NKCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4906
  
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