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• Infineon AUIRGPS4067D1 N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 Super-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRGPS4067D1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9354
  
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• IXYS IXYH50N120C3 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 W,
• 制造商零件编号：
  IXYH50N120C3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0287
  
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• Infineon IRGPS46160DPBF N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 Super-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 W,
• 制造商零件编号：
  IRGPS46160DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3479
  
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• Infineon IRGPS4067DPBF N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 Super-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 W,
• 制造商零件编号：
  IRGPS4067DPBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9048
  
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• Infineon IRGPS4067DPBF N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 Super-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 W,
• 制造商零件编号：
  IRGPS4067DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1121
  
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• Infineon IRGPS66160DPBF N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 Super-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 W,
• 制造商零件编号：
  IRGPS66160DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3472
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 W,
• 制造商零件编号：
  FDH44N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3438
  
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• Infineon FS150R12KT4 N通道 IGBT 晶体管模块, 3 相桥接, 150 A, Vce=1200 V, 35引脚 EconoPACK 3封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 W,
• 制造商零件编号：
  FS150R12KT4
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7108
  
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• Fairchild Semiconductor FGY75N60SMD N沟道 IGBT, 150 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 W,
• 制造商零件编号：
  FGY75N60SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9302
  
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