产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor BU406 , NPN 晶体管, 7 A, Vce=200 V, HFE:10, 10 MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
BU406
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5217
搜索
Fairchild Semiconductor D44H8 , NPN 晶体管, 8 A, Vce=60 V, HFE:40, 50 MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
D44H8
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5305
搜索
Fairchild Semiconductor BU406TU , NPN 晶体管, 7 A, Vce=200 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
BU406TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0329
搜索
Fairchild Semiconductor FJAFS1510ATU , NPN 晶体管, 6 A, Vce=750 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
FJAFS1510ATU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9240
搜索
Taiwan Semiconductor TSC741CZ COG , NPN 晶体管, 2.5 A, Vce=450 V, HFE:18, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
TSC741CZ COG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
900-9037
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor D45H11 , PNP 晶体管, 10 A, Vce=80 V, HFE:40, 40 MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
D45H11
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5302
搜索
Fairchild Semiconductor D45C8 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=60 V, HFE:20, 32 MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
D45C8
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5308
搜索
Fairchild Semiconductor BDX53C NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
BDX53C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4119
搜索
Fairchild Semiconductor FJAFS1720TU NPN 发射器开关, 12 A 0.304V, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
FJAFS1720TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8944
搜索
Fairchild Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
BDX53CTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5172
搜索
Fairchild Semiconductor BDX54CTU PNP 达林顿晶体管对, -8 A, Vce=-100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
BDX54CTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5181
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Infineon IRG4PH20KDPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
IRG4PH20KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3259
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Infineon IRG4BC20FPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
IRG4BC20FPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0892
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Fairchild Semiconductor FGD3N60UNDF N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
FGD3N60UNDF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8830
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Infineon IRG4BC20KDSTRLP N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
IRG4BC20KDSTRLP
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5067
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP14NF10, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STP14NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6780
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8447L, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
FDB8447L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8995
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STD20NF06LT4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD20NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0411
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD20N06LT4G, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
NTD20N06LT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7879
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STD6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD6N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3615
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STU7N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3823
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD7N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9295
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STI45N10F7, 45 A, Vds=100 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STI45N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5870
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STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STL60N3LLH5, 60 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STL60N3LLH5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9120
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ24PBF, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
IRFZ24PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0672
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