产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 540 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fuji Electric 1MBi100U4F-120L-50 N通道 IGBT 模块, 100 A, Vce=1200 V, 7引脚 M262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 540 W,
制造商零件编号:
1MBi100U4F-120L-50
品牌:
Fuji
库存编号:
747-1115
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IXYS IXGH72N60B3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 40kHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 540 W,
制造商零件编号:
IXGH72N60B3
品牌:
IXYS
库存编号:
791-7413
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Fuji Electric 2MBI100U4A-120-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 100 A, Vce=1200 V, 7引脚 M232封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 540 W,
制造商零件编号:
2MBI100U4A-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
462-821
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N50P, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 540 W,
制造商零件编号:
IXFH36N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-546
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFPS43N50KPBF, 47 A, Vds=500 V, 3引脚 Super-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 540 W,
制造商零件编号:
IRFPS43N50KPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1522
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH34N65X2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 540 W,
制造商零件编号:
IXTH34N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1463
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N50P, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 540 W,
制造商零件编号:
IXFH36N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0782
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