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• IXYS IXYX120N120C3 N沟道 IGBT, 240 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 1.5 kW,
• 制造商零件编号：
  IXYX120N120C3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-1000
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN110N60P3, 90 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 1.5 kW,
• 制造商零件编号：
  IXFN110N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7596
  
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• Fuji Electric 2MBi200SB-120-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 300 A, Vce=1200 V, 7引脚 M235封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 1.5 kW,
• 制造商零件编号：
  2MBi200SB-120-50
  品牌：
  Fuji
  库存编号：
  716-5564
  
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• Infineon FF225R17ME4_B11 N通道 IGBT 模块, 串行, 340 A, Vce=1700 V, 11引脚 ECONOD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 1.5 kW,
• 制造商零件编号：
  FF225R17ME4_B11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-7068
  
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• IXYS IXYX120N120C3 N沟道 IGBT, 240 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 1.5 kW,
• 制造商零件编号：
  IXYX120N120C3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0234
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN210N30P3, 192 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 1.5 kW,
• 制造商零件编号：
  IXFN210N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7593
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN132N50P3, 112 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 1.5 kW,
• 制造商零件编号：
  IXFN132N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7599
  
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• Fuji Electric 2MBI200S-120-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=1200 V, 7引脚 M234封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 1.5 kW,
• 制造商零件编号：
  2MBI200S-120-50
  品牌：
  Fuji
  库存编号：
  462-887
  
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