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• Infineon IRGP6650DPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6650DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3463
  
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• Infineon IRGP6650DPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6650DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4240
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R4-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8125
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R8-100BS, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN3R8-100BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2956
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100PS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R6-100PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3003
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100BS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R6-100BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2990
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R8-100BS, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN3R8-100BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8124
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-60BS, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN1R7-60BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2921
  
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• Infineon IKW40N60H3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  IKW40N60H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7208
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R0-60PS, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN3R0-60PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2946
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP8440, 100 A，277 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 306 W,
• 制造商零件编号：
  FDP8440
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3579
  
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