产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
DiodesZetex ZXTN4004KTC , NPN 晶体管, 1 A, Vce=150 V, HFE:60, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
ZXTN4004KTC
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5222
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004SPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRL1004SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2127
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL540NSPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRL540NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0440
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NSPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRLZ34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0614
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS52N15DPBF, 51 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRFS52N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
639-1863
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRFS23N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4845
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRF1404LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3815
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3703PBF, 210 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRFP3703PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3840
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NSPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRFZ44NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3890
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315SPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRF3315SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-158
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NSPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRF9Z34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9484
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRL2910SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0377
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRF1404LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0822
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NSPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRLZ24NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3812
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5305SPBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRF5305SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4836
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2505SPBF, 104 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRL2505SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4968
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9530NSPBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRF9530NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5003
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5305SPBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRF5305SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0424
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NSPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRF1310NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2880
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NSPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRF530NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9260
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NSPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRFZ34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0103
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NLPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRFZ44NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0119
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2203NSPBF, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRL2203NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0361
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3803SPBF, 140 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRL3803SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0412
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NSPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大功率耗散 3.8 W,
制造商零件编号:
IRFZ44NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
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