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• Fairchild Semiconductor BD238STU , PNP 晶体管, 2 A, Vce=80 V, HFE:25, 3 MHz, 3引脚 TO-126封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  BD238STU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5156
  
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• Fairchild Semiconductor KSA940TU , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=150 V, HFE:40, 4 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  KSA940TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0486
  
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• Fairchild Semiconductor KSB1366GTU , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  KSB1366GTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-2744
  
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• Fairchild Semiconductor KSB1015YTU , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 1 MHz, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  KSB1015YTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-2747
  
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• Taiwan Semiconductor TSC5302DCH C5G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=400 V, HFE:5, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  TSC5302DCH C5G
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  900-9015
  
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• Fairchild Semiconductor KSD2012GTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  KSD2012GTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-2762
  
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• STMicroelectronics STGF3NC120HD N沟道 IGBT, 6 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STGF3NC120HD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9094
  
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• STMicroelectronics STGF10NB60SD N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STGF10NB60SD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  877-2873
  
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• Infineon IRG4IBC10UDPBF N沟道 IGBT, 6.8 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4IBC10UDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0912
  
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• STMicroelectronics STGF10NC60KD N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STGF10NC60KD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-7142
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NS G, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ165N04NS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5377
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STF18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STF18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0449
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STF7N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0483
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STF10NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2732
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF12N65M5, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STF12N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2748
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STF14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2754
  
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• STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STP5NK60ZFP, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STP5NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2912
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STF13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3640
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF18N60M2, 13 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  STF18N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3647
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P10TM, 2.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  FQD5P10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9023
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR210TRPBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR210TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0616
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9010TRPBF, 5.3 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR9010TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0638
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110TRPBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR9110TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0644
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9210TRPBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR9210TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0657
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03MSG, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 25 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ130N03MSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5101
  
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