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• Fuji Electric 7MBR35VB-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR35VB-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  110-9134
  
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• Infineon FS35R12KT3 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 55 A, Vce=1200 V, 28引脚 ECONO2封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  FS35R12KT3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6983
  
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• Infineon FP35R12KT4_B11 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 23引脚 ECONO2封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  FP35R12KT4_B11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-7055
  
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• Fuji Electric 7MBR35VA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M711封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR35VA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  110-9133
  
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• Infineon FP40R12KE3G N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 55 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  FP40R12KE3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6888
  
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• Infineon IRG7PH30K10PBF N沟道 IGBT, 33 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  IRG7PH30K10PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7559
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STP35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6477
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP46N15, 45 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  FQP46N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5124
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STB34NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9500
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STP34NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0106
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STB45N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2949
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STW45N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2986
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN6R5-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8128
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STB35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6462
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STW35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6482
  
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• Infineon N沟道 MOSFET IPP80N06S2L-07, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2L-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8388
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STP45N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8834
  
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• Infineon FP40R12KE3 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 55 A, Vce=1200 V, 24引脚 EconoPIM2封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  FP40R12KE3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8316
  
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• Infineon FP40R12KT3G N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 55 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  FP40R12KT3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6882
  
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• Infineon F12-35R12KT4G N通道 IGBT 模块, 六角桥接, 35 A, Vce=1200 V, 38引脚 ECONO3封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  F12-35R12KT4G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6905
  
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• Infineon IRG7PH35UPBF N沟道 IGBT, 55 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  IRG7PH35UPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7556
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STW34NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0323
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  STP45N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3107
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 210 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN6R5-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3019
  
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