产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
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Infineon IRGSL10B60KDPBF N沟道 IGBT, 35 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRGSL10B60KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0996
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Infineon IRGS10B60KDPBF N沟道 IGBT, 22 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRGS10B60KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4870
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRFH7004TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9157
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI15N65C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPI15N65C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8778
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP15N60C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPP15N60C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8810
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPP15N60CFDXKSA1, 13.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPP15N60CFDXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8813
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N10NSF G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC100N10NSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4375
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRFH7004TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8665
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPP11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3190
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC082N10LS G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC082N10LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4312
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IPP90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7611
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPW90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IPW90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7652
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSC014N06NS, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC014N06NS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4286
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N10NS3 G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC046N10NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4321
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPW11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8505
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI15N65C3, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPI15N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8775
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7085TRPBF, 147 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRFH7085TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4170
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IPI90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7557
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC070N10NS3 G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC070N10NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4359
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