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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN039-100YS, 28 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN039-100YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2886
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R3-40YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3034
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF630STRL-GE3, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  SIHF630STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2623
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF730AS-GE3, 5.5 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  SIHF730AS-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2648
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SIHF830S-GE3, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  SIHF830S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2654
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9630STRL-GE3, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  SIHF9630STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2663
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHFBC30AS-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30AS-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2698
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N60C3, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  SPP06N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2175
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R3-40YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8129
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9630PBF, 6.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9630PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-2515
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD20N03L27T4G, 20 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  NTD20N03L27T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  793-1043
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN026-80YS, 34 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN026-80YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2861
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF634S-GE3, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  SIHF634S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2632
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30S-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2691
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC30APBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  IRFBC30APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4768
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30STRL-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2695
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL630PBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  IRL630PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9862
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN026-80YS, 34 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN026-80YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8121
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF634PBF, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  IRF634PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9282
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF830APBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  IRF830APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9434
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC30PBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  IRFBC30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9507
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC014NE2LSI, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  BSC014NE2LSI
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4299
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC360N15NS3 G, 33 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 74 W,
• 制造商零件编号：
  BSC360N15NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4410
  
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