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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IPD350N06L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7496
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR4105PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9828
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0806
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4105, 20 A，27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR4105
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9146
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IPB530N15N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8982
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD6637_F085, 21 A, Vds=35 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  FDD6637_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8095
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NLPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34NLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5056
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705TRPBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR2705TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4809
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4867
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705PBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0557
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ34N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1875
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF9Z34N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8621
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9761
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPD25N06S2-40, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IPD25N06S2-40
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8973
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705TRPBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR2705TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3348
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4766
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRLZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4898
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF9Z34N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1803
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N90CT, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  FQPF9N90CT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5914
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N03S4L-04, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IPD70N03S4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9070
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3 G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IPP530N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2305
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NSTRLPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRLZ34NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5112
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 68 W,
• 制造商零件编号：
  IRLZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1247
  
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